Mikroçip

Vikipedi, özgür ansiklopedi
Şuraya atla: kullan, ara

İngilizce integrated circuit (birleşik devre), monolithic integrated circuit, ya da IC olarak, Türkçe tümdevre, yonga, kırmık, çip, mikroçip, tümleşik devre ya da entegre devre olarak adlandırılan genellikle silikondan yapılmış yarı iletken maddeler ile tasarlanmış metal bir levha üzerine yerleştirilen elektronik devreler grubudur. Mikroçipler, her elektronik devre elemanı bağımsız olan ayrık devreleden daha küçük boyutludur. Entegre devreler içinde bir tırnak ucu kadar alanda milyarlarca transistör ve elektronik devre elemanı içerecek kadar küçültülebilir. Bir devre içerisindeki her bir iletken sıranın genişliği teknolojinin elverdiği ölçüde (2008 de bu ölçü 100 nanometre idi.) küçültülebilir. Entegre devreler Küçük boyutu, hafifliği ve kullanım kolaylığı ile tümdevreler, günümüzün modern elektronik sektöründe çok önemli bir yer tutmaktadır. Bilgisayarlardan oyuncaklara kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir.

Yarı iletken araçların vakum tüplerinin fonksiyonlarını çalıştırdığını gösteren deneysel buluşlar ve 20. y.y.daki yarı iletken araç üretimi entegre devreleri üretilebilir hale getirdi. Çok sayıda transistörün  küçük bir çip içerisindeki bütünlüğü ayrık devre elemanları kullanılarak devrelerin manuel olarak birleştirildiği devri kapatan mükemmel bir gelişmeydi. Entegre devrelerin toplu üretimi kapasitesi , güvenilirliği ve üst üste dizilebilmesi  yaklaşımı; devre tasarlamada ayrık transistör kullanan tasarımların yerini, hızlı bir standartlaştırılmış entegre devre adaptasyonuna bıraktı.  Entegre devreler, ayrık devrelere göre iki ana avantaja sahiptir: fiyat ve performans. Fiyatları düşüktür çünkü çipler bütün bileşenleriyle birlikte fotolitografiyle ya da aynı anda yapılı bir transistör yazdırılabilirler. Ayrıca, montaja hazır entegre devreler, ayrık devrelere göre daha az malzemeye ihtiyaç duyar. Performansları yüksektir çünkü, küçük bir boyuta sahip olması ve elemanlarının birbirine yakın olması nedeniyle entegre devre bileşenleri akımı hızlıca aktarır ve entegre devrelerle karşılaştırıldığında daha az güç harcar. 2012 den başlayarak, normal bir çipin alanı birkaç mm2  den, 450 mm2 ye uzanır, bununla birlikte her mm2 de 9 milyon transistör bulunabilir. Entegre devreler günümüzde hemen hemen bütün elektronik aletlerin içinde bulunurlar ve elektronik dünyasında devrim yapmışlardır. Ucuz fiyatlardaki entegre devrelerle oluşturulan bilgisayarlar, telefonlar ve diğer elektrikli ev aletleri bugünlerde modern toplum yapısında kaçınılmaz parçalardır.

Tanım[değiştir | kaynağı değiştir]

Bazı elemanları ayrılmaz bir biçimde birbirine bağlantılı olan ve elektrik bağlantısı olan bir devre entegre devredir böylece yapım ve ticari amaçlar için bölünemez olması düşünülmüştür.  Bu tanım ince film iletken(thin-layer transistor)yoğun film teknolojileri (thick film technology) ya da hibrit entegre devre (hybrid integrated circuit) gibi teknolojileri içeren bir sürü farklı teknoloji kullanılarak yapılabilir. Ancak, genel kullanımda entegre devre aslında bölüntüsüz entegre devre olarak  bilinen tek parça devre yapısını anlatmak için geldi.

Bulunuşu[değiştir | kaynağı değiştir]

Entegre devrenin ilk gelişimi 1949 yılına dayanır. Alman mühendis Werner Jacobi (Siemens AG) 1949 yılında entegre yapısına benzer bir yapı ile sinyal yükseltici devre tasarladı. Ancak bu yapı çok aşamalıydı ve  3 masaya sığıyordu.[1] Jacobi, patentinin endüstriyel uygulaması olarak küçük ve ucuz bir işitme aygıtı meydana getirdi. Onun patentinin acil ticari kullanımı raporlanmadı.

Entegre devre fikri İngiliz Savunma Bakanlığına bağlı Royal Radar Kurumu'nda (the Royal Radar Establishment ) radar bilim adamı olarak çalışan Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002) tarafından ortaya atıldı. Dummer, Washington'da 7 Mayıs 1952'de Nitelikli Elektronik Parçaların Gelişimi Sempozyumu'nda fikrini öne sürdü. Bu fikri yaymak için bir sürü sempozyum düzenledi ve 1956'da yaptığı devre başarısız sonuçlandı.

Entegre devreler için ilk fikir, hepsini küçültülmüş bir bileşen olan küçük seramik yonga plakası oluşturmaktı. Bileşenler bütünleşmiş ve  2 boyutlu ya da 3 boyutlu ızgara sistem şeklinde telle bağlanmış halde olabilirdi. 1957'de çok ümitli görünen bu fikir, Amerika Birleşik Devletleri Ordusu'na önerildi ve kısa süreli Mikromodül Program'a(1951 deki Tinkertoy projesiyle benzer olarak) öncülük etti. Ancak, bu proje hız kazandığında, Jack Kilby entegre devreler için yeni bir tasarım geliştirdi.

Jack Kilby'nin orijinal entegre devresi

Daha sonra Texas Instruments tarafından işe alınan Kilby, entegre deverelerle alaaklı olan ilk fikrini 1958 Temmuz'da kaydetti. İlk entegre çalışmasını 12 Eylül 1958'de başarılı bir şekilde tamamladı. Patent uygulamalarında, 6 Şubat 1959' da Kilby yeni aletini "tamamen bütünleşmiş elektronik devrelerin tüm bileşenlerini barındıran yarı iletken maddelerin cismi"  olarak tanımladı.  Bu ürün için ilk müşteri Amerika Birleşik Devletleri Hava Kuvvetleri oldu.

Kilby, 2000 yılında entegre devreleri bulduğu için fizikten Nobel Ödülü aldı. Yaptığı bu başarılı çalışmaya  Elektrik Elektronik Mühendisliği Dönüm Noktaları Listesi'nde (IEEE Milestone) 2009 yılında yer verildi.

Kilby' den yaklaşık yarım sene sonra, Fairchild Semiconductor firmasındanRobert Noyce onun fikrini geliştirerek entegre devrelerle Kilby' nin çözemediği birçok problemi çözdü. Kilby' nin tasarımında germanyumdan yapılmış olan kısım, Noyce' un tasarımında silikondan yapılmıştı.

Fairchild Semiconductor  firması aynı zamanda kendi sıraya koyulmuş geçitleriyle tüm modern Cmos bilgisayar çiplerinin temeli olan ilk slikon-geçit entegre devre teknolojisine  da ev sahipliği yaptı. Bu teknoloji, İntel'e katılan ve ilk tek çip olan Merkezi İşlem Birimi (CPU) (Intel 4004) ü tasarlayan İtalyan fizikçi Federico Faggin tarafından 1968 de geliştirildi. Faggin 2010'da Teknoloji ve Yenilik Ulusal Madalyası kazandı.[2]

Tümdevre örneği.

Tasarım[değiştir | kaynağı değiştir]

Tümleşik devre üretiminde silikon temelli CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) teknolojisi hakim durumdadır. CMOS teknolojisi, transistör başına düşük maliyetler sağladığı ve büyük miktarlarda tümdevre üretimine olanak verdiği için tercih edilmektedir. Bunun dışında, özellikle daha yüksek hızda ya da düşük gürültü ile çalışması istenen devrelerde SiGe (Silisyum-Germanyum) BJT ya da GaAs (Galyum-Arsenik) temelli teknolojiler de kullanılabilmektedir. Günümüzde tümleşik devre satışları dünya çapında 300 milyar ABD dolarına yaklaşmıştır.

Tümleşik devrelerin ayrık devrelere göre başlıca iki olumlu yanı sayılabilir: Düşük üretim maliyeti ve başarım. Üretim maliyetinin düşüklüğü, transistörlerin birer birer değil de tek defada, ışıklı taş baskı (fotolitografi) aracılığı ile basılmaları sayesinde gerçekleşmektedir. Başarımın yüksekliği ise bileşenlerin yakınlığı ve dolayısıyla daha az güç kullanımına bağlıdır. 2006 yılına varıldığında, ortalama yonga alanları 1 ile 350 mm2 arasında olup milimetrekare başına 1 milyon transistör kullanılabilmektedir. Günümüzde nanoteknolojiyle saç telinden ince tümdevreler üretilebilmektedir.

Türkiye'de Tümdevre Tasarımı[değiştir | kaynağı değiştir]

Türkiye dünyada tümdevre tasarlanan 15 ülke arasındadır.[kaynak belirtilmeli] Türk üniversitelerinde tümleşik devre tasarımı konusunda araştırmalar yürütülmektedir. Bunun dışında, entegre devre üretimi yapan firma ve kuruluşlardan bazıları İstanbul'da da faaliyet göstermektedir. Ayrıca bazı Türk firmaları üniversitelerle iş birliği yaparak sayısal tümleşik devrelerin tasarımına yönelik yüksek lisans çalışmalarını desteklemektedir.

  1. ^ http://www.elektrikport.com/teknik-kutuphane/entegre-devre-(ic)-nedir/11549#ad-image-0
  2. ^ https://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_circuit