Memistor: Revizyonlar arasındaki fark

Etkileşimli olarak geçmişe göz at

[kontrol edilmiş revizyon]

← Önceki sürümle aradaki fark Sonraki sürümle aradaki fark →

İçerik silindi İçerik eklendi

GörselVikimetin

Satır içi

Sayfanın 17.07, 18 Şubat 2019 tarihindeki hâli

Memistor koşut hesaplamalı bilgisayar belleklerinde kullanılan bir devre elemanıdır. Hewlett-Packard laboratuvarlarında bulunan bu eleman akı ile yük arasındaki bağıntıyı etkilemektedir.

Memistorün en önemli özelliği, üzerinden geçen akım değişikliğini unutmaması ve enerji harcamadan saklayabilmesidir. Teknoloji, şimdiki hafıza saklama sistemlerinden RAM ve flaş belleğe alternatif sunmaktadır.

Yapı olarak iki ince TiO₂ (titanyum dioksit) katmanı arasından tel geçirmeye dayalı olan elemanın memistor özelliği gösterebilmesi için nano düzeyinde olması gerekmektedir.

@@ 1. satır: / 1. satır: @@
-{{Öksüz|tarih=Şubat 2016}}
 {{Karıştırma|Memristor}}
+[[Dosya:Memistor schema.png|thumb|Bir memistor]]
-{{düzenle|Temmuz 2008}}
+'''Memistor''' [[koşut hesaplama]]lı bilgisayar [[Bellek (bilgisayar)|belleklerinde]] kullanılan bir [[devre elemanı]]dır. [[Hewlett-Packard]] laboratuvarlarında bulunan bu eleman [[akı]] ile [[Elektrik yükü|yük]] arasındaki bağıntıyı etkilemektedir.
+Memistorün en önemli özelliği, üzerinden geçen [[Elektrik akımı|akım]] değişikliğini unutmaması ve [[enerji]] harcamadan saklayabilmesidir. Teknoloji, şimdiki hafıza saklama sistemlerinden [[RAM]] ve [[Flaş bellek|flaş belleğe]] alternatif sunmaktadır.
-Dördüncü temel devre elemanı. HP Laboratuvarlarında bulunan bu eleman akı ile yük arasındaki bağıntıyı etkilemektedir.
-(Resistör gerilim ile akım, kapasitör gerilim ile yük, indüktör akı ile akım arasındaki bağıntıda iş görmektedir.).
+Yapı olarak iki ince TiO<sub>2</sub> ([[titanyum dioksit]]) katmanı arasından tel geçirmeye dayalı olan elemanın memistor özelliği gösterebilmesi için [[Nanoteknoloji|nano düzeyinde]] olması gerekmektedir.
-Memistorün en önemli üzerinden geçen akım değişikliğini unutmaması ve enerji harcamadan saklayabilmesidir. Bu özelliğiyle bilişim alanında hafıza birimlerinin üretiminde kullanılacak gibi görülüyor. Bir yonga üzerinde 100GB veriyi normal bir RAM hızında saklayabileceği söylentisi bulunmaktadır.
-Şimdiki hafıza saklama sistemlerinden RAM hem karmaşık yapısı, hem de yüksek enerji harcamasından dolayı sıkıntı yaratırken, FLASH bellekler bekleme konumunda enerji harcamamakla beraber düşük hıza sahiptirler.
-Yapı olarak iki ince TiO<sub>2</sub> (Titanyum oksit) katmanı arasından tel geçirmeye dayalı olan elemanın memistor özelliği gösterebilmesi için nano düzeyinde olması gerekmektedir. 30 yıl önce teorisi kurulmuş olmasına rağmen şimdiye kadar bulunamaması, özelliğin bu kadar düşük boyutlarda kendini göstermesine bağlanıyor.
 [[Kategori:Elektronik devre elemanları]]
-[[Kategori:Elektrik terimleri]]
 [[Kategori:Elektronik terimleri]]