Bipolar bağlantı transistörü
.jpg){kind=spacer}
Bipolar bağlantı transistörü (BJT), yük taşıyıcı olarak hem elektronları hem de elektron deliklerini kullanan bir transistör türüdür. Bipolar bir transistör, terminallerinden birine enjekte edilen küçük bir akımın, terminaller arasında akan çok daha büyük bir akımı kontrol etmesine izin vererek, cihazın amplifikasyon veya anahtarlama yapabilmesini sağlar.
Bipolar bağlantı transistörü, tek bir malzeme kristalindeki bölgeler olan n-tipi ve p-tipi olmak üzere iki yarı iletken tipi arasında iki bağlantı kullanır. Bağlantılar, büyüdükçe yarı iletken malzemenin katkısını değiştirmek, alaşım bağlantılarını oluşturmak için metal topakları biriktirmek veya n-tipi ve p-tipi katkı maddelerinin kristal içine difüzyonu gibi yöntemler gibi birkaç farklı yolla yapılabilir.[1] Bağlantı transistörlerinin üstün öngörülebilirliği ve performansı, orijinal nokta temaslı transistörün yerini hızla aldı. Dağınık transistörler, diğer bileşenlerle birlikte, analog ve dijital işlevler için entegre devrelerin elemanlarıdır. Yüzlerce bipolar bağlantı transistörü tek bir devrede çok düşük maliyetle yapılabilir.
Bipolar transistör entegre devreleri, bir ana bilgisayar ve mini bilgisayar neslinin ana aktif cihazlarıydı, ancak çoğu bilgisayar sistemi artık alan etkili transistörlere dayanan entegre devreler kullanıyor. Bipolar transistörler hala sinyallerin amplifikasyonu, anahtarlama ve dijital devrelerde kullanılmaktadır. Yüksek gerilim anahtarları, radyo frekansı yükselticileri veya yüksek akımları anahtarlamak için özel tipler kullanılır.
Kaynakça[değiştir | kaynağı değiştir]
 |
Wikimedia Commons'ta Bipolar bağlantı transistörü ile ilgili ortam dosyaları bulunmaktadır. |
- ^ Paul Horowitz ve Winfield Hill (1989). The Art of Electronics. 2nd. Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-37095-0.
