Transistörlerde darlington bağlantı

Vikipedi, özgür ansiklopedi
Darlington bağlantısı.

Darlington bağlantısı ya da Darlington çifti, aynı tür iki ya da üç BJT'nin (Bipolar Jonksiyonlu Transistör) birbirlerine doğrudan bağlanmaları ile oluşturulan elektronik devre yapısıdır.

Sidney Darlington tarafından 1953 yılında Bell Laboratuvarı'nda tasarlanmıştır. Darlington, iki ya da üç transistörün kolektör uçlarını bir tümdevre üzerinde paylaşmaları fikrinin patentine sahiptir.[1]

Yapı[değiştir | kaynağı değiştir]

Bağlantıyı oluşturmak için 1. transistörün emiter ucu, 2. transistörün baz ucuna; 1. transistörün kolektör ucu ise, 2. transistörün kolektör ucu da yine 2. transistörün kolektör ucuna bağlanır. Böylece Darlington bağlantılı iki transistör, yüksek kazançlı tek bir transistör gibi davranır. Darlington transistörün kolektörü, iki kolektör ucu; bazı, 1. transistörün bazı; emiteri ise, 2. transistörün emiteri olmuş olur.

Çalışma İlkesi[değiştir | kaynağı değiştir]

Yeni bağlantıdaki 1. transistör iletimde ise 2. transistör de iletimde, eğer kesimdeyse 2. transistör de kesimdedir. Çünkü 2. transistörün baz akımı, 1. transistörün emitör akımına eşittir.

Darlington çiftinin akım kazancı, yaklaşık olarak her iki transistörün akım kazançları çarpımına eşittir. Örneğin 1. transistörün ileri yönde akım kazancı βF1 = 50, 2. transistörün ileri yönde akım kazancı βF2 = 80 ise Darlington çiftinin ileri yönde akım kazancı yaklaşık olarak βFD ~= βF1 x βF2 = 50 x 80 = 4000 'dir. Görüldüğü gibi, aynı tür iki transistör Darlington yöntemiyle bağlandığında, çok büyük akım kazançlarına ulaşırlar.

Darlington bağlantısı ile üretilmiş transistörler, genellikle güç kuvvetlendiricilerinin çıkış katlarında tercih edilirler.

Kaynakça[değiştir | kaynağı değiştir]

  1. ^ "Devrenin Birleşik Amerika'daki patenti". 10 Haziran 2015 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 19 Kasım 2013.