Intel TeraHertz

Vikipedi, özgür ansiklopedi

Intel TeraHertz[1] Intel'in 2001 yılında dizayn ettiği bir transistör tipidir.[2] Zirkonyum Dioksit ve daha yeni materyalleri bünyesinde barındırarak süper üstün yalıtım oluşturur.Silikon dioksit yerine zirkonyum kullanmak yüksek hızlarda düşük güç kullanımı ile beraber akım kaçağını düşürür.

Ayrıca bu yapının bir elemanıda "tükenmiş alt tabaka transistör" yani yalıtım gömülü bir tabakanın üstünde yer alan, silikon bir ultra-ince bir tabaka halinde inşa edilen bir CMOS cihazıdır.Bu ultra-ince silikon katman transistörün hızlıca açılıp kapanmasını sağlayarak sürücü akımını en üst düzeye çıkarır.

Diğer bir deyişle, transistor kapatıldığında, istenmeyen sızıntı akım ince yalıtım tabakasında en aza indirgenir.Bu tükenmiş alt tabaka transistör geleneksel silikon üzerinde yalıtkan şemalarına oranla 100 kat daha az sızıntı sahip olmanızı sağlar.Intel tükenmiş alt-tabaka transistörün bir başka yenilik de silikon tabakanın üstünde düşük bir direnç temas kullanılmasıdır.Transistör bu nedenle çok hızlı, çok küçük ve daha az güç tüketir.

Diğer bir önemli unsur gofret silikon dioksit yerine yeni bir malzeme geliştirilmesidir.Tüm transistörlerin aktif bölgesinden birer kapı kontrolcüsü bulunur.Görevi kapı transistörün açık-kapalı durumunu kontrol etmek amacı ile bir "kapı-dielektrik" madde ile kaplanmıştır.

Intel'e göre, yeni tasarım sadece 0,6 volt gücündedir. Bu teknoloji 2001 yılında ortaya çıkmış olmasına rağmen 2014 yılında dahi kullanılmamıştır.

Kaynakça[değiştir | kaynağı değiştir]

  1. ^ "TERAHERTZ TRANSISTOR(ingilizce)" (PDF). 26 Ağustos 2014 tarihinde kaynağından (PDF) arşivlendi. Erişim tarihi: 26 Ağustos 2014.  Yazar |ad1= eksik |soyadı1= (yardım)
  2. ^ "Arşivlenmiş kopya". 26 Ağustos 2014 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 26 Ağustos 2014.