CMOS: Revizyonlar arasındaki fark
| [kontrol edilmemiş revizyon] | [kontrol edilmemiş revizyon] |
k robot Removing: cs:Cmos |
Kategori düzeltme |
||
| 4. satır: | 4. satır: | ||
N-tipi ve P-tipi olarak adlandırılan NMOS ve PMOS transistorların aynı tümdevre üzerinde gerçeklenmesine olanak tanır. Genel olarak günümüzde kullanılan [[sayısal]] (dijital) devrelerin neredeyse tamamı (örneğin mikroişlemciler) CMOS teknolojisi ile üretilir. Bu teknolojinin yaygın olarak kullanılmasının nedeni, bu teknolojinin birim [[silisyum]] alanda en fazla [[transistor]] gerçeklenmesini olanaklı kılması, gerçeklenen devre açık durumda fakat işlem yapmazken neredeyse güç tüketmemesi gibi önemli özelliklerdir. Böylece elektronik endüstrisinin temel taleplerinden olan düşük maliyet ve düşük güç tüketimi (uzun pil ömrü) sağlanmış olur. |
N-tipi ve P-tipi olarak adlandırılan NMOS ve PMOS transistorların aynı tümdevre üzerinde gerçeklenmesine olanak tanır. Genel olarak günümüzde kullanılan [[sayısal]] (dijital) devrelerin neredeyse tamamı (örneğin mikroişlemciler) CMOS teknolojisi ile üretilir. Bu teknolojinin yaygın olarak kullanılmasının nedeni, bu teknolojinin birim [[silisyum]] alanda en fazla [[transistor]] gerçeklenmesini olanaklı kılması, gerçeklenen devre açık durumda fakat işlem yapmazken neredeyse güç tüketmemesi gibi önemli özelliklerdir. Böylece elektronik endüstrisinin temel taleplerinden olan düşük maliyet ve düşük güç tüketimi (uzun pil ömrü) sağlanmış olur. |
||
[[Kategori:Elektronik |
[[Kategori:Elektronik devre elemanları]] |
||
<!-- interwiki --> |
<!-- interwiki --> |
||
Sayfanın 19.35, 10 Mayıs 2007 tarihindeki hâli
CMOS (İngilizce: Complementary Metal Oxide Semiconductor; Bütünleyici Metal Oksit Yarıiletken), bir tümleşik devre üretim teknolojisidir.
N-tipi ve P-tipi olarak adlandırılan NMOS ve PMOS transistorların aynı tümdevre üzerinde gerçeklenmesine olanak tanır. Genel olarak günümüzde kullanılan sayısal (dijital) devrelerin neredeyse tamamı (örneğin mikroişlemciler) CMOS teknolojisi ile üretilir. Bu teknolojinin yaygın olarak kullanılmasının nedeni, bu teknolojinin birim silisyum alanda en fazla transistor gerçeklenmesini olanaklı kılması, gerçeklenen devre açık durumda fakat işlem yapmazken neredeyse güç tüketmemesi gibi önemli özelliklerdir. Böylece elektronik endüstrisinin temel taleplerinden olan düşük maliyet ve düşük güç tüketimi (uzun pil ömrü) sağlanmış olur.