İndiyum galyum çinko oksit

Vikipedi, özgür ansiklopedi
Atla: kullan, ara

İndiyum galyum çinko oksit veya İGZO, bir yarı iletken malzemesidir.

1995 yılında, Tokyo Teknoloji Enstitüsü (Tokyo Institute of Technology) profesörü Hideo Hosono şeffaf esnetilebilen oksit yarı iletken olan bir malzeme icat etti. Bu malzemeye transparent amorphous oxide semiconductors (TAOS) ismini verdi. Bu malzeme kristal üzerinde çok fazla sayıda elektron hareketine izin veriyordu. Fakat bu ilk zamanlarda TAOS çok az dikkat çekmişti. 1999 yılında Japon Teknoloji Ajansı (Japan Science and Technology Agency) Hosono'yu Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO) ismini verdiği projesi için proje lideri olarak seçti. Her ERATO projesi JST tarafından seçilen yenilikçi araştırmacılara ve proje liderlerince serbestçe yönetilebilen takımlardan oluşmaktadır. JST, Hosono'nun 5 yıllık projesine her yıl için 300 milyon yen ödenek sağladı. Hosono TAOS için birçok hammadde denedi. 2004 yılında IGZO kullanarak bir TFT üretti. Bu madde oda sıcaklığında ve plastikten üretilmişti. Elektron hareketliliği, esnek silikon TFT'den 1 dijit daha yüksekti.

IGZO ekranlar daha ince, daha aydınlık ve daha parlak görüntü vermektedir. Geleneksel LCD ekranlardan daha az enerji tüketmektedir. SHARP, 2012 yılının son çeyreğinde 7, 10 ve 32 inch IGZO panellerin seri üretimini yaptığını duyurmuştu.

2013 yılının ortalarında duyurulması beklenen iPhone6'da IGZO panel kullanılacağı söylenmektedir.

Kaynakça[değiştir | kaynağı değiştir]