İçeriğe atla

Entegre devre: Revizyonlar arasındaki fark

k
Tarih bağlantısı düzenleme
(→‎top: düzeltme AWB ile)
k (Tarih bağlantısı düzenleme)
Tümleşik devre üretiminde [[silikon]] temelli [[CMOS]] (''Complementary Metal Oxide Semiconductor'') teknolojisi hakim durumdadır. CMOS teknolojisi, transistör başına düşük maliyetler sağladığı ve büyük miktarlarda tümdevre üretimine olanak verdiği için tercih edilmektedir. Bunun dışında, özellikle daha yüksek hızda ya da düşük gürültü ile çalışması istenen devrelerde SiGe ([[silisyum]]-[[germanyum]]) [[BJT]] ya da GaAs ([[galyum]]-[[arsenik]]) temelli teknolojiler de kullanılabilmektedir. Günümüzde tümleşik devre satışları dünya çapında 300 milyar ABD dolarına yaklaşmıştır.
 
Tümleşik devrelerin ayrık devrelere göre başlıca iki olumlu yanı sayılabilir: Düşük üretim maliyeti ve başarım. Üretim maliyetinin düşüklüğü, [[transistör]]lerin birer birer değil de tek defada, ışıklı taş baskı (fotolitografi) aracılığı ile basılmaları sayesinde gerçekleşmektedir. Başarımın yüksekliği ise bileşenlerin yakınlığı ve dolayısıyla daha az güç kullanımına bağlıdır. [[2006]] yılına varıldığında, ortalama yonga alanları 1 ile 350 mm² arasında olup milimetrekare başına 1 milyon transistör kullanılabilmektedir. Günümüzde [[nanoteknoloji]]yle saç telinden ince tümdevreler üretilebilmektedir.
 
== Türkiye'de tümdevre tasarımı ==
1.047.013

düzenleme